各有關(guān)單位：

　　根據《深圳經(jīng)濟特區科技創(chuàng )新促進(jìn)條例》，深圳市第五屆人民代表大會(huì )常務(wù)委員會(huì )公告，第144號;《關(guān)于促進(jìn)科技創(chuàng )新的若干措施》，中共深圳市委，深發(fā)〔2016〕7號;《深圳市科技計劃管理改革方案》，深圳市人民政府，深府〔2019〕1號;《深圳市科技計劃項目管理辦法》，深圳市科技創(chuàng )新委員會(huì )，深科技創(chuàng )新規〔2019〕1號;《深圳市科技研發(fā)資金管理辦法》，深圳市科技創(chuàng )新委員會(huì )、深圳市財政局，深科技創(chuàng )新規〔2019〕2號;《深圳市技術(shù)攻關(guān)專(zhuān)項管理辦法》，深圳市科技創(chuàng )新委員會(huì )，深科技創(chuàng )新規〔2020〕13號文件的相關(guān)規定，現決定開(kāi)展2020年第四批技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目(生物科技專(zhuān)項)的申報工作。具體要求如下：

 

　　一、申請內容

　　為增強我市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)核心競爭力，提升產(chǎn)業(yè)整體自主創(chuàng )新能力，突破關(guān)鍵零部件等產(chǎn)業(yè)發(fā)展共性關(guān)鍵技術(shù)，聚焦我市戰略新興產(chǎn)業(yè)、促進(jìn)生態(tài)文明建設和民生改善等科技領(lǐng)域瓶頸性關(guān)鍵技術(shù)，對深圳市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域、優(yōu)先主題、重點(diǎn)專(zhuān)項的關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)予以資助。

 

　　二、支持強度與方式

　　支持強度：有數量限制，受科技研發(fā)資金年度總額控制，單個(gè)項目資助強度最高不超過(guò)1000萬(wàn)元。

　　支持方式：事前資助。

 

　　三、申請條件

　　申請技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目資助應當符合以下條件：

　　(一)申請牽頭單位應當是在深圳市或深汕特別合作區內依法注冊、具有獨立法人資格，且2019年度營(yíng)業(yè)收入在2000萬(wàn)元以上(含2000萬(wàn)元)的國家或深圳市高新技術(shù)企業(yè)(證書(shū)發(fā)證年度為2017年、2018年或2019年)、技術(shù)先進(jìn)型服務(wù)企業(yè)(證書(shū)在受理結束之日仍在有效期內);

　　(二)采用聯(lián)合申報方式，鼓勵產(chǎn)學(xué)研用合作攻關(guān)，牽頭單位2019年度營(yíng)業(yè)收入不足1億的，參與單位應有1家企業(yè)2019年度營(yíng)業(yè)收入在1億以上(含1億元)。國內(含港澳)高校、科研機構和企業(yè)可作為合作單位參與項目;

　　(三)申請單位應當具有良好的研發(fā)基礎和條件(在深具備研發(fā)場(chǎng)地、設施、人員等條件)、健全的財務(wù)制度和優(yōu)秀的技術(shù)及管理團隊，能提供相應的配套資金，項目自籌資金不低于申請的財政資助資金總額;

　　(四)項目負責人必須為申請牽頭單位的全職在職人員，且項目完成年度不超過(guò)60周歲;申請牽頭單位主要成員人數不少于單個(gè)合作單位人數;項目組成員總人數的50%以上須在深圳購買(mǎi)社會(huì )保險;

　　(五)聯(lián)合申報應注意以下事項：

　　1.申請書(shū)中填報合作單位名稱(chēng)并加蓋合作單位公章;

　　2.合作協(xié)議中應明確申請牽頭單位和合作單位的研發(fā)內容分工、知識產(chǎn)權分配等相關(guān)內容;

　　3.申請牽頭單位資金分配比例不少于單個(gè)合作單位的分配比例;

　　4.申請牽頭單位可聯(lián)合國內(含港澳)創(chuàng )新資源共同研發(fā)。深圳市外單位作為合作單位的，按深圳市財政資助資金有關(guān)管理辦法執行。

　　(六)本項目申請實(shí)行限項制，具體要求是：

　　1.同一個(gè)法人單位只能牽頭申請1項本批次技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目;本年度已承擔或申請未辦結的技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目牽頭承擔單位，不得再次牽頭申請本年度技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目;

　　2.申報主體未列入科技誠信異常名錄，未違反國家、省、市聯(lián)合懲戒政策和制度規定，未被列為失信聯(lián)合懲戒對象;

　　3.已承擔2018、2019年、2020年技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目的項目負責人不得作為本批次技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目申請的項目負責人。

　　(七)如果項目申請涉及科研倫理與科技安全(如生物安全、信息安全等)的相關(guān)問(wèn)題，申請單位應當嚴格執行國家有關(guān)法律法規和倫理準則。

 

　　四、課題內容

　　重2020N054 基于芯片級隔離技術(shù)的碳化硅功率器件高壓驅動(dòng)芯片研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息--(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)功率器件驅動(dòng)芯片超高隔離電壓技術(shù)研發(fā);

　　(二)驅動(dòng)芯片高瞬態(tài)共模噪聲抑制技術(shù)研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現量產(chǎn)應用≥100萬(wàn)顆。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1.絕緣工作電壓：1400V;

　　2.低邊工作電壓：5V;

　　3.高邊最大工作電壓：30V;

　　4.輸出電流：6A(on)/8A(off);

　　5.瞬態(tài)共模抑制：100V/ns;

　　6.最大環(huán)境溫度：125℃;

　　7.輸出欠壓保護閾值：11V;

　　8.輸出欠壓回復閾值：12V;

　　9.去飽和保護閾值電壓：9V。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N055 28G NRZ(非歸零調制)專(zhuān)用跨阻放大器芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息--(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)芯片光接收靈敏度提升技術(shù)研發(fā);

　　(二)極高頻域下芯片寄生參數補償技術(shù)和性能校正技術(shù)研發(fā);

　　(三)光電二極管大動(dòng)態(tài)范圍的高線(xiàn)性度和高穩定性技術(shù)研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1.速率范圍：8.5Gbps～28.1Gbps;

　　2.誤碼率≤10ˉ¹²@速率25.78Gbps，光接收靈敏度<-16dBm;

　　3.小信號增益：6.3kΩ;

　　4.單通道功耗：50mW;

　　5.輸入過(guò)載電流：2.5mAave;

　　6.等效輸入噪聲<1.8μArms;

　　7.支持RSSI檢測功能;

　　8.電源電壓范圍:2.97V～3.47V。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N056 905nm激光雷達芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息--(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)發(fā)光層外延結構、芯片結構和低電壓隧道結構設計;

　　(二)外延材料生長(cháng)工藝研究;

　　(三)激光芯片制造工藝研究;

　　(四)腔面鈍化和鍍膜工藝研究;

　　(五)光斑控制技術(shù)研發(fā);

　　(六)封裝、測試技術(shù)和可靠性測試技術(shù)研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1.波長(cháng)：905nm±5nm;

　　2.芯片輸出功率>260W;

　　3.發(fā)光節：5個(gè);

　　4.電光轉換效率>35%;

　　5.光斑寬度 < 400μm;

　　6.垂直方向光束發(fā)散角<30º，水平方向光束發(fā)散角<12º。

　　7.平均壽命(MTTF)>50萬(wàn)小時(shí)。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N057 面向400Gbps 2km光互連的硅基光電子集成發(fā)射芯片研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息--(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)高速硅基調制器陣列設計;

　　(二)低損耗硅基材料WDM波分復用器設計;

　　(三)低損耗硅基片上光波導技術(shù)研發(fā);

　　(四)線(xiàn)性Si調制器驅動(dòng)器與硅光集成芯片鍵合技術(shù)研發(fā);

　　(五)激光器與硅基光電子集成芯片的高精度、低損耗光耦合技術(shù)研發(fā);

　　(六)片上光信號低串擾技術(shù)研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1.支持四通道高速硅基調制器陣列，調制器陣列單通道3dB帶寬≥35Gbps，支持50G NRZ和112G PAM4;

　　2.硅基材料WDM波分復用器支持O波段的CWDM波長(cháng)：1271nm、1291nm、1311nm、1331nm;

　　3.MUX單通道差損≤0.5dB，通道隔離度≥30dB;

　　4.硅基片上光波導損耗≤0.5dB;

　　5.光纖與硅基光電子集成芯片的耦合光損耗≤1.5dB;

　　6.混合集成的4通道激光器陣列的單通道發(fā)射光功率(耦合前)>4dBm;

　　7.單通道消光比≥4.5dB;

　　8.在4個(gè)112G PAM4場(chǎng)景下，集成發(fā)射芯片總功耗≤0.8W，最大傳輸距離：2km;

　　9.平均功耗≤0.5W@工作溫度0～70℃。四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N058 高端SOC芯片測試板卡關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息--(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)垂直探針卡測試頭探針針壓仿真設計;

　　(二)提高植針平整度的植針工藝研究;

　　(三)微型鉆孔工藝和無(wú)電解連續沉銅工藝研究;

　　(四)精確圖形轉移技術(shù)及特制的層壓定位技術(shù)研發(fā);

　　(五)減小大尺度測試接口板翹曲和提高BGA焊盤(pán)平整度的技術(shù)研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1.探針卡的單針壓力≤5g、最大變形行程≤100μm、針痕≤12μm、針平整度≤10μm、針排列偏移≤10μm、針中心距(Pitch)≤90μm;

　　2.測試板卡的層數>60層、孔徑：0.15mm、厚徑比>32：1、層間對位精度：100μm、翹曲≤0.3%、BGA焊盤(pán)公差：±50μm平整度，PCB產(chǎn)品加工技術(shù)符合IPC2級和測試板外觀(guān)要求。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N059 面向電源管理芯片的多元化應用工藝研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息--(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)非對稱(chēng)特殊工藝結構設計;

　　(二)采用新材料的掩蔽層設計;

　　(三)后段46KA超厚頂層鋁金屬互連技術(shù)研發(fā);

　　(四)兼容現有邏輯以及混合信號制程技術(shù)研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1. CMOS開(kāi)啟電壓Vgs(可選擇一種或者多種)：1.8V、3.3V、5V;

　　2. LDMOS漏源電壓Vds(可選擇一種或者多種)：6V、12V、24V、40V、120V、700V;

　　3. LDMOS源漏擊穿電壓BVds(對應LDMOS可選擇一種或者多種)：6V LDMOS：8～26V、12V LDMOS：15～38V、24V LDMOS：32～49V、40V LDMOS：55～70V、120V LDMOS：100～150V、700V LDMOS：500～800V;

　　4. LDMOS導通電阻Ron(對應LDMOS可選擇一種或者多種)：6V LDMOS：0～25 mΩ.mm²、12V LDMOS：0～30 mΩ.mm²、24V LDMOS：0～38 mΩ.mm²、40V LDMOS：0～45 mΩ.mm²、120V LDMOS：0～72 mΩ.mm²、700V LDMOS：0～100 mΩ.mm²;

　　5. 數據保存能力>10年。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N060 高效高亮Micro-LED顯示關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息--(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)50微米以下R G B Micro-LED發(fā)光器件的微納加工技術(shù)研發(fā);

　　(二)Micro-LED芯片高可靠性巨量轉移技術(shù)研發(fā);

　　(三)顯示功能芯片和外圍驅動(dòng)電路研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1.單個(gè)像素尺寸≤25μm，紅、綠、藍Micro-LED中心發(fā)光波長(cháng)：619nm～632nm、523nm～534nm、459nm～464nm;

　　2.發(fā)光像素間距≤0.3mm;

　　3.Micro-LED面板可實(shí)現8K顯示，尺寸≥104英寸;

　　4.峰值亮度>3000 cd/m²;

　　5.灰度等級≥10Bit;

　　6.對比度>1000000：1;

　　7.拼縫≤0.03mm。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N061 8K攝像機圖像處理關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息--(五)廣播影視技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)8K LOG模式視頻拍攝技術(shù)研發(fā);

　　(二)8K超高解像專(zhuān)業(yè)畫(huà)質(zhì)技術(shù)研發(fā);

　　(三)8K攝像機樣機開(kāi)發(fā)和小批試制研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1.研究確定支持8k攝像機的LOG模式記錄曲線(xiàn)以及光電轉換函數方程;

　　2. 研究確定支持8k攝像機的色域基點(diǎn)色坐標;

　　3. 研究確定8k攝像機Gamut RGB與CIE1931 XYZ的相互轉換矩陣以及Gamut RGB與ITU REC.709 RGB的相互轉換矩陣。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N062 測序儀用超低試劑用量微流體集成系統開(kāi)發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 二、生物與人口健康技術(shù)--(六)醫療儀器、設備與醫學(xué)專(zhuān)用軟件

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)高比例試劑回收及利用策略研發(fā);

　　(二)極低厚度的微流控生物芯片開(kāi)發(fā)與優(yōu)化;

　　(三)器件材料高耐壓、高耐磨性、測序試劑兼容性研發(fā);

　　(四)零死體積流道建模及測序試劑微殘留監控設計;

　　(五)微流道表征及熒光示蹤和數值模擬研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥8件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥4件。

　　(二)技術(shù)指標：

　　1、微流體系統：測序試劑回收率≥70%，試劑替代比<3;

　　2、器件在測序試劑使用條件下單個(gè)測序位點(diǎn)所消耗的試劑體積≤0.2pL;

　　3、注射泵：在額定行程運行時(shí)間1.2s-9600s的條件下泵液精度<1%，壽命>300000次，最小泵液體積<5μL;

　　4、電磁閥：耐壓≥500 Kpa時(shí)，響應時(shí)間<10ms，內體積<10μL，壽命>1000000次;

　　5、多通道旋轉閥：旋轉閥通道數≥24個(gè)，響應時(shí)間<130ms，內體積<5μL，壽命>1000000次。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)1000萬(wàn)元

 

　　重2020N050 超大型高比容電容卷浸組一體化裝備關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 八、先進(jìn)制造與自動(dòng)化--(六)先進(jìn)制造工藝與裝備

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)高比容電容多工序集成技術(shù)研發(fā);

　　(二)高比容電容高速卷繞技術(shù)研發(fā);

　　(三)快速含浸技術(shù)研發(fā);

　　(四)預老化工藝研發(fā);

　　(五)卷浸組過(guò)程中的多點(diǎn)在線(xiàn)檢測系統與算法開(kāi)發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1. 封口高度誤差：優(yōu)于 ± 0.05 mm;

　　2. 束腰位置誤差：優(yōu)于 ± 0.05 mm;

　　3. 套管長(cháng)度控制精度：優(yōu)于 ± 0.05 mm;

　　4. Φ18mm外徑電容正極極限長(cháng)度：≥ 860 mm;

　　5. Φ18mm外徑電容產(chǎn)品生產(chǎn)速度：≥ 40 PPM(件/分鐘);

　　6. 支持電容產(chǎn)品范圍：外徑16mm～20mm，高度16mm～40mm。

　　四、項目實(shí)施期限： 3 年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N052 用于半導體芯片封裝的高速高精度智能點(diǎn)膠裝備關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 八、先進(jìn)制造與自動(dòng)化--(六)先進(jìn)制造工藝與裝備

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)微量精密壓電噴射點(diǎn)膠技術(shù)研發(fā);

　　(二)高速雙驅同步進(jìn)給控制系統研發(fā);

　　(三)高速點(diǎn)膠系統幾何誤差辨識技術(shù)研發(fā);

　　(四)基于機器視覺(jué)的運動(dòng)系統實(shí)時(shí)校準方法研究;

　　(五)全自動(dòng)膠重補償系統算法開(kāi)發(fā);

　　(六)點(diǎn)膠系統遠程維護和管理系統等智能技術(shù)研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1. XY軸最大加速度：≥1.0 g(重力加速度)，XY軸最大運行速度：≥1.0 m/s;

　　2. XYZ軸重復精度：優(yōu)于±15.0 μm;

　　3. 噴膠頻率：≥900 Hz;

　　4. 膠重系統精度：≤0.00001 g;

　　5. 測厚系統精度：≤1.0 μm;

　　6. 點(diǎn)膠精度：Cp≥1.33，優(yōu)于±20 μm;Cpk≥1.33，優(yōu)于±25.0 μm;

　　7. 系統軸系數量 ≥ 8 個(gè)。

　　四、項目實(shí)施期限： 3 年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N051 半導體芯片封裝爐關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 八、先進(jìn)制造與自動(dòng)化--(六)先進(jìn)制造工藝與裝備

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)芯片封裝焊接高均勻性溫度控制系統研發(fā);

　　(二)高平穩性芯片傳輸系統設計與制造;

　　(三)爐內全區氧含量精確控制技術(shù)研發(fā);

　　(四)爐內無(wú)塵機構及凈化系統的設計與制造。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000 萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1. 封裝焊接溫度均勻性： Δt ≤ 2 ℃;

　　2. 焊接溫度控制范圍：室溫~400 ℃;

　　3. 芯片倒裝封裝傳輸平穩性：X/Y方向加速度≤ 0.1 g(重力加速度)，Z方向加速度≤ 0.5 g(重力加速度);

　　4. 芯片封裝爐內全區氧濃度值：≤ 25 ppm;

　　5. 封裝爐內無(wú)塵等級：優(yōu)于1000級。

　　四、項目實(shí)施期限： 3 年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N053 大型葉片超低熱輸入快頻熱量管理焊機關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 八、先進(jìn)制造與自動(dòng)化--(六)先進(jìn)制造工藝與裝備

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)基于SiC功率器件的高低頻脈沖電流高速耦合換流技術(shù)研發(fā);

　　(二)強干擾工況下的全數字化焊接控制技術(shù)研發(fā);

　　(三)快頻熱量管理焊機數字波形柔性調控技術(shù)研發(fā);

　　(四)超低熱輸入快頻焊接工藝開(kāi)發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥ 2000 萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利 ≥ 7 件，其中發(fā)明專(zhuān)利 ≥ 3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1. 逆變頻率：≥ 70 kHz;

　　2. 快頻脈沖頻率：≥ 20 kHz;

　　3. 輸出電流范圍：0～400 A;

　　4. 能效：最高電能轉換效率 ≥ 90%;

　　5. 動(dòng)特性：20 kHz頻率脈沖電流的動(dòng)態(tài)響應時(shí)間 ≤18 μs;

　　6. 波形調制能力：可實(shí)現直流、脈沖、雙脈沖波形、雙脈沖正弦波復合波形、快頻直流、快頻脈沖波形(包括雙直流復合快頻波形、直流脈沖復合快頻波形、雙脈沖復合快頻波形)等多波形柔性輸出。

　　四、項目實(shí)施期限： 3 年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N048 低壓高性能矢量變頻器關(guān)鍵零部件關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 六、新能源與節能--(四)高效節能技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)基于國產(chǎn)功率半導體器件的寬頻帶、高動(dòng)態(tài)響應的變頻電源拓撲結構優(yōu)化設計方法研究;

　　(二)基于并聯(lián)模塊化大容量變頻電源的分布式運行控制和自適應保護方法研究;

　　(三)基于國產(chǎn)功率半導體器件驅動(dòng)電路研究;

　　(四)基于調制、控制一體化的寬頻帶電流、電壓調節方法研究。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1.輸出頻率調節范圍：0～630Hz，速度控制精度：±0.2%，調速比：1:200，啟動(dòng)轉矩≥200%額定轉矩(0.25Hz);

　　2.輸入三相電壓范圍：380～480V;

　　3.輸出功率范圍：0.75～1000kW，過(guò)載能力：150%額定電流≥60s;180%額定電流≥10s，200%額定電流≥1s;

　　4.國產(chǎn)化零部件率100%。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

 

　　重2020N049 高壓高穩定性長(cháng)壽命鋁電解電容器關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 六、新能源與節能--(三)新型高效能量轉換與儲存技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)高壓鋁電解電容器高穩定性長(cháng)壽命電解液研究;

　　(二)高穩定性電解液對電容器陽(yáng)極氧化膜修復性及電解液活性與電容量的變化特征研究;

　　(三)高穩定性電解液在鋁電解電容器中對其穩定性與相關(guān)電性能的影響研究;

　　(四)高壓高穩定性鋁電解電容器的制造工藝路線(xiàn)研究。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1.工作電壓≥450VDC;

　　2.容量≥220μF;

　　3.尺寸大小≤35*25(mm);

　　4.工作溫度范圍：-25℃～+105℃;

　　5.高溫壽命≥5000小時(shí)(在105℃下施加額定紋波電流)，容量衰減≤5%，損耗增大≤3%;

　　6.紋波電流≤1100mA(105℃/120Hz)。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元


相關(guān)附件：
附件1 2020年第五批技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目申請指南.docx
附件2 2020年第五批技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目課題指南.pdf
附件3 科研誠信承諾書(shū)（模板）.docx
附件4 知識產(chǎn)權合規性聲明（模板）.docx